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IPB60R180C7ATMA1

Infineon-IPB60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac0f4f5e9f
Produktcode: 152307
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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250+2.61 EUR
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 826 Stücke:
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
auf Bestellung 928 Stücke:
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25+3.52 EUR
36+2.37 EUR
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 993 Stücke:
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40+4.45 EUR
76+2.27 EUR
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 993 Stücke:
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40+4.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 826 Stücke:
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45+5.59 EUR
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB60R180C7_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
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IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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10000+2.86 EUR
15000+2.62 EUR
20000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
auf Bestellung 928 Stücke:
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25+3.52 EUR
36+2.37 EUR
100+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.45 EUR
76+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPB60R180C7ATMA1 17infineon-ipb60r180c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46258fc0bc1015917.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 993 Stücke:
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40+4.45 EUR
76+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPB60R180C7ATMA1 INFN-S-A0002838012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
58+4.01 EUR
100+3.17 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPB60R180C7ATMA1 Infineon_IPB60R180C7_DS_v02_00_EN.pdf
IPB60R180C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1682 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+7.19 EUR
10+4.69 EUR
100+3.42 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.56 EUR
2000+2.51 EUR
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