Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R180P7ATMA1
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Weitere Produktangebote IPB60R180P7ATMA1 nach Preis ab 1.36 EUR bis 4.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+3.05 EUR
58+2.48 EUR
100+2.25 EUR
200+2.14 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481 Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.34 EUR
10+2.48 EUR
100+1.95 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+3.72 EUR
51+2.82 EUR
52+2.68 EUR
100+2.18 EUR
250+1.97 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+3.72 EUR
51+2.82 EUR
52+2.68 EUR
100+2.18 EUR
250+1.97 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+4.01 EUR
50+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB60R180P7_DS_v02_01_EN-3362523.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.21 EUR
10+2.97 EUR
100+2.20 EUR
250+2.01 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : INFINEON 2576642.pdf Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r180p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB60R180P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a6b8e590481 Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH