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IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.67 EUR
3000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 435 Stücke:
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295+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON 2576643.pdf Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
200+2.3 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.87 EUR
73+2.37 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.87 EUR
73+2.31 EUR
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500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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auf Bestellung 5488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
auf Bestellung 6042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
50+2.5 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 INFINEON 2576643.pdf Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
65+3.62 EUR
76+2.83 EUR
200+2.3 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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295+2.21 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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200+2.3 EUR
500+1.84 EUR
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auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.87 EUR
73+2.37 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.87 EUR
73+2.31 EUR
100+1.75 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPB60R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 5488 Stücke:
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1+5.01 EUR
10+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.57 EUR
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IPB60R280P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
auf Bestellung 6042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
50+2.5 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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42+6 EUR
65+3.62 EUR
76+2.83 EUR
200+2.3 EUR
500+1.84 EUR
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