Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R045C7ATMA2
IPB65R045C7ATMA2

IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+9.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Weitere Produktangebote IPB65R045C7ATMA2 nach Preis ab 7.97 EUR bis 26.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+11.33 EUR
100+10.6 EUR
500+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.36 EUR
50+11.85 EUR
100+11.57 EUR
200+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.03 EUR
15+11.38 EUR
25+10.77 EUR
50+10.26 EUR
100+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.36 EUR
15+12.15 EUR
25+11.66 EUR
50+11.29 EUR
100+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB65R045C7_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.4 EUR
10+13.55 EUR
100+10.95 EUR
500+10.83 EUR
1000+10.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.37 EUR
13+18.81 EUR
16+13.86 EUR
50+12.59 EUR
100+11.33 EUR
250+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.44 EUR
10+17.64 EUR
100+13.22 EUR
500+12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 INFINEON 1932588.pdf Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.17 EUR
12+20.4 EUR
15+15.21 EUR
50+13.79 EUR
100+12.38 EUR
250+12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+11.33 EUR
100+10.6 EUR
500+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+12.36 EUR
50+11.85 EUR
100+11.57 EUR
200+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+16.03 EUR
15+11.38 EUR
25+10.77 EUR
50+10.26 EUR
100+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 ds_ipb65r045c7_2_1.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+17.36 EUR
15+12.15 EUR
25+11.66 EUR
50+11.29 EUR
100+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 Infineon_IPB65R045C7_DS_v02_01_en.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.4 EUR
10+13.55 EUR
100+10.95 EUR
500+10.83 EUR
1000+10.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 1932588.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.37 EUR
13+18.81 EUR
16+13.86 EUR
50+12.59 EUR
100+11.33 EUR
250+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.44 EUR
10+17.64 EUR
100+13.22 EUR
500+12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 1932588.pdf
IPB65R045C7ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.17 EUR
12+20.4 EUR
15+15.21 EUR
50+13.79 EUR
100+12.38 EUR
250+12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH