Technische Details IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote IPB65R045C7ATMA2 nach Preis ab 6.7 EUR bis 21.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 2342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V |
auf Bestellung 4437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB65R045C7ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IPB65R045C7ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IPB65R045C7ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 93nC Electrical mounting: SMT |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 7.82 EUR |
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 9.03 EUR |
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 58+ | 9.52 EUR |
| 100+ | 8.91 EUR |
| 500+ | 8.26 EUR |
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 13.47 EUR |
| 15+ | 9.56 EUR |
| 25+ | 9.05 EUR |
| 50+ | 8.62 EUR |
| 100+ | 6.7 EUR |
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 14.59 EUR |
| 15+ | 10.21 EUR |
| 25+ | 9.8 EUR |
| 50+ | 9.49 EUR |
| 100+ | 8.41 EUR |
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.14 EUR |
| 10+ | 11.39 EUR |
| 100+ | 9.2 EUR |
| 500+ | 9.1 EUR |
| 1000+ | 8.61 EUR |
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 21.38 EUR |
| 10+ | 14.82 EUR |
| 100+ | 11.11 EUR |
| 500+ | 10.08 EUR |
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 8.79 EUR |