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IPB65R075CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB65R075CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 46945967-4
Price: 5370.00 EUR
Availability: BackOrder

Infineon-IPB65R075CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a3391e03b7426

Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

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Technische Details IPB65R075CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA, Power Dissipation (Max): 171W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V.

Weitere Produktangebote IPB65R075CFD7AATMA1

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IPB65R075CFD7AATMA1	Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB65R075CFD7AATMA1	Infineon Technologies	Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB65R075CFD7AATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R075CFD7AATMA1

infineonipb65r075cfd7adatasheetv0201en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB65R075CFD7AATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V

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IPB65R075CFD7AATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

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