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IPB65R110CFD7ATMA1

IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
auf Bestellung 1000 Stücke:

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Technische Details IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPB65R110CFD7ATMA1 nach Preis ab 3.17 EUR bis 7.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb65r110cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
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IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.11 EUR
10+4.79 EUR
100+3.43 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPB65R110CFD7_DataSheet_v02_00_EN-1954054.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+7.18 EUR
10+5.37 EUR
25+4.96 EUR
100+3.94 EUR
250+3.85 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.17 EUR
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IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb65r110cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+7.19 EUR
29+4.97 EUR
50+4.00 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Hersteller : INFINEON 3189146.pdf Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Hersteller : INFINEON 3189146.pdf Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb65r110cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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