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IPB65R110CFDAATMA1

Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 474000 Stücke:
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1000+4.51 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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1000+4.65 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 959 Stücke:
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19+8.05 EUR
24+6.15 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
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1+10.33 EUR
10+6.67 EUR
100+5.09 EUR
500+4.77 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1692 Stücke:
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2+12.16 EUR
10+8.17 EUR
100+5.92 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 1266 Stücke:
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IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R110CFDAATMA1 INFINEON INFNS19116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 1266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPB65R110CFDAATMA1 ds_ipx65r110cfda_2_0.pdf
IPB65R110CFDAATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+4.03 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB65R110CFDAATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IPB65R110CFDAATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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24+6.15 EUR
100+4.63 EUR
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100+5.09 EUR
500+4.77 EUR
1000+4.49 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1692 Stücke:
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10+8.17 EUR
100+5.92 EUR
500+4.95 EUR
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IPB65R110CFDAATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
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IPB65R110CFDAATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277.8mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
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