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IPB65R115CFD7AATMA1

IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
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Technische Details IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineonipb65r115cfd7adatasheetv0202en.pdf 650V CoolMOS™ N-channel automotive SJ power MOSFET CFD7A
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IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f32146887c81 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9 Stücke:
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3+7.57 EUR
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IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB65R115CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 INFINEON 3154679.pdf Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 630 Stücke:
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IPB65R115CFD7AATMA1 IPB65R115CFD7AATMA1 INFINEON 3154679.pdf Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
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AnzahlPreis
71+2.07 EUR
72+2.01 EUR
73+1.94 EUR
100+1.86 EUR
250+1.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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500+3.33 EUR
1000+3.07 EUR
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30+4.88 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
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AnzahlPreis
3+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPB65R115CFD7AATMA1 Infineon_IPB65R115CFD7A_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPB65R115CFD7AATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+8.48 EUR
10+5.67 EUR
100+4.05 EUR
500+3.63 EUR
1000+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPB65R115CFD7AATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R115CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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