IPB65R190CFDATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPB65R190CFDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IPB65R190CFDATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm |
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IPB65R190CFDATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm |
auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB65R190CFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IPB65R190CFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V |
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IPB65R190CFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 |
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IPB65R190CFDATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 151W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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