IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 1.78 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104.2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPB65R310CFDAATMA1 nach Preis ab 1.49 EUR bis 5.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R310CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB65R310CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPB65R310CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 |
auf Bestellung 2513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPB65R310CFDAATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.2W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IPB65R310CFDAATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104.2W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IPB65R310CFDAATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |