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IPB65R310CFDAATMA1

IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R310CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136bafdd723265d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Technische Details IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104.2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPB65R310CFDAATMA1 nach Preis ab 2.03 EUR bis 7.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 INFINEON 4098633.pdf Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
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IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies ds_ipx65r310cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.66 EUR
49+3.51 EUR
50+3.31 EUR
100+2.37 EUR
250+2.31 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX65R310CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136bafdd723265d Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+4.01 EUR
100+2.82 EUR
500+2.21 EUR
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IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPX65R310CFDA_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
auf Bestellung 2513 Stücke:
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1+6.2 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2000+2.07 EUR
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IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 INFINEON 4098633.pdf Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.59 EUR
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IPB65R310CFDAATMA1 4098633.pdf
IPB65R310CFDAATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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49+3.51 EUR
50+3.31 EUR
100+2.37 EUR
250+2.31 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB65R310CFDAATMA1 Infineon-IPX65R310CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136bafdd723265d
IPB65R310CFDAATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.63 EUR
10+4.01 EUR
100+2.82 EUR
500+2.21 EUR
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MOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
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AnzahlPrivatkunde
1+6.2 EUR
10+4.05 EUR
100+2.81 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2000+2.07 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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33+7.59 EUR
51+4.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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