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IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON

IPx80N04S2-H4.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.32 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.44 EUR
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Technische Details IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPB80N04S2H4ATMA2 nach Preis ab 2.44 EUR bis 8.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB80N04S2H4-ATMA2 IPB80N04S2H4-ATMA2 Infineon Technologies INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
161+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Infineon Technologies IPx80N04S2-H4.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+4.37 EUR
100+3.33 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 INFINEON IPx80N04S2-H4.pdf Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.12 EUR
47+4.96 EUR
100+3.32 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPB80N04S2_H4_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+4.71 EUR
100+3.33 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.68 EUR
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPB80N04S2H4ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.41 EUR
25+6.96 EUR
50+5.18 EUR
100+5.05 EUR
200+4.69 EUR
500+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IPB80N04S2H4-ATMA2 INFNS11807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N04S2H4-ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 161 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPx80N04S2-H4.pdf
IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.81 EUR
10+4.37 EUR
100+3.33 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB80N04S2H4ATMA2 IPx80N04S2-H4.pdf
IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S2H4ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.12 EUR
47+4.96 EUR
100+3.32 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.19 EUR
10+4.71 EUR
100+3.33 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.68 EUR
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IPB80N04S2H4ATMA2 ipp_b_i80n04s2-h4_green.pdf
IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.41 EUR
25+6.96 EUR
50+5.18 EUR
100+5.05 EUR
200+4.69 EUR
500+4.06 EUR
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