IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 1.04 EUR |
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Technische Details IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPB80N06S4L07ATMA2 nach Preis ab 0.78 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 |
auf Bestellung 3116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPB80N06S4L07ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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