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IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies

infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1000+1.57 EUR
3000+1.4 EUR
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IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 384 Stücke:
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343+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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auf Bestellung 680 Stücke:
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343+1.88 EUR
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87+2 EUR
94+1.81 EUR
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500+1.15 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies infineonippbi80n06s4l07dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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64+2.69 EUR
76+2.23 EUR
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1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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auf Bestellung 4106 Stücke:
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1+4.77 EUR
10+2.34 EUR
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500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.12 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IPB80N06S4L07ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
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3000+1.4 EUR
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IPB80N06S4L07ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
343+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
87+2 EUR
94+1.81 EUR
119+1.39 EUR
200+1.29 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IPB80N06S4L07ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
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AnzahlPrivatkunde
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.69 EUR
76+2.23 EUR
106+1.57 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPB80N06S4L07ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
auf Bestellung 4106 Stücke:
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1000+1.55 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4118 Stücke:
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100+2.13 EUR
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IPB80N06S4L07ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
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