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IPB80P03P4L04ATMA2

IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

infineon-i80p03p4l_04-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 INFINEON INFNS12993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS-P2
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPB80P03P4L04ATMA2 IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon_I80P03P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3361954.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Hersteller: INFINEON
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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