IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 2.27 EUR |
| 2000+ | 2.13 EUR |
| 5000+ | 2.05 EUR |
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Technische Details IPB80P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.
Weitere Produktangebote IPB80P03P4L04ATMA2 nach Preis ab 2.27 EUR bis 4.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPB80P03P4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80P03P4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB80P03P4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB80P03P4L04ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm |
auf Bestellung 4250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80P03P4L04ATMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm |
auf Bestellung 4250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB80P03P4L04ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
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