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IPB80P04P4L04ATMA2

IPB80P04P4L04ATMA2 INFINEON

INFN-S-A0008993184-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
auf Bestellung 2166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.78 EUR
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Technische Details IPB80P04P4L04ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Weitere Produktangebote IPB80P04P4L04ATMA2 nach Preis ab 2.78 EUR bis 7.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993184-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
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IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783241fb2e2a Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
10+4.7 EUR
100+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPB80P04P4L04ATMA2 IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3362927.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2924 Stücke:
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1+7.28 EUR
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IPB80P04P4L04ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
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IPB80P04P4L04ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.16 EUR
10+4.7 EUR
100+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPB80P04P4L04ATMA2 Infineon_IPP_B_I80P04P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3362927.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2924 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+7.28 EUR
10+5.05 EUR
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