Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB90N06S404ATMA2

IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-I90N06S4_04-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038cce6020cda
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Weitere Produktangebote IPB90N06S404ATMA2 nach Preis ab 2.43 EUR bis 7.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4-04_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.83 EUR
40+4.28 EUR
50+3.39 EUR
100+3.12 EUR
200+3.05 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.38 EUR
44+5.3 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2 IPB90N06S404ATMA2 INFINEON INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2 ipp_b_i90n06s4-04_ds_11.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.83 EUR
40+4.28 EUR
50+3.39 EUR
100+3.12 EUR
200+3.05 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2 INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.38 EUR
44+5.3 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2 INFNS13317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH