IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPB90N06S4L04ATMA2 nach Preis ab 1.54 EUR bis 4.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 |
auf Bestellung 1095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB90N06S4L04ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
auf Bestellung 1384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IPB90N06S4L04ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPB90N06S4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.1 EUR |
| 10+ | 2.99 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 2000+ | 1.54 EUR |
| IPB90N06S4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.7 EUR |
| 10+ | 3.05 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.79 EUR |
| IPB90N06S4L04ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB90N06S4L04ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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Produktpalette: OptiMOS-T2
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB90N06S4L04ATMA2 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)