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IPB90N06S4L04ATMA2

IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies

infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Weitere Produktangebote IPB90N06S4L04ATMA2 nach Preis ab 1.88 EUR bis 8.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.52 EUR
50+3.36 EUR
100+2.87 EUR
250+2.73 EUR
500+2.27 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.59 EUR
50+3.49 EUR
100+3.03 EUR
250+2.95 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipb90n06s4l-04-datasheet-cn.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+3.47 EUR
100+3.09 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.31 EUR
2000+2.24 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 1235 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
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500+2.46 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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50+3.49 EUR
100+3.03 EUR
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1000+2.13 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
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1+6.81 EUR
10+3.47 EUR
100+3.09 EUR
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1000+2.31 EUR
2000+2.24 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.14 EUR
10+4.65 EUR
50+3.58 EUR
100+3.24 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 1235 Stücke:
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31+8.12 EUR
61+3.86 EUR
100+3.17 EUR
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