Technische Details IPC020N10L3X1SA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12µA, Supplier Device Package: Sawn on foil, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Weitere Produktangebote IPC020N10L3X1SA1 nach Preis ab 1.02 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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IPC020N10L3X1SA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer |
auf Bestellung 12794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPC020N10L3X1SA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer
Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin Chip Wafer
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 171+ | 1.02 EUR |