IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.74 EUR |
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Technische Details IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPC100N04S51R9ATMA1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 395000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 395000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-CHANNEL 30/40V |
auf Bestellung 11353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S51R9ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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