IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm.
Weitere Produktangebote IPC100N04S52R8ATMA1 nach Preis ab 1.29 EUR bis 3.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET MOSFET_(20V,40V) |
auf Bestellung 18651 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm |
auf Bestellung 14979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm |
auf Bestellung 14979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC100N04S52R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 |
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