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IPC100N04S5L1R1ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPC100N04S5L1R1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 280277-5
Price: 148.02999999999997 EUR
Availability: InStock

516infineon-ipc100n04s5l-1r1-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625696ed760.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

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Technische Details IPC100N04S5L1R1ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPC100N04S5L1R1ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon-IPC100N04S5L-1R1-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156d5753129605c

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

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Anzahl	Preis
66+	2.26 EUR
100+	2.08 EUR
250+	1.92 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.66 EUR

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IPC100N04S5L1R1ATMA1

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Infineon_IPC100N04S5L_1R1_DS_v01_02_EN-1731729.pdf

MOSFETs N-CHANNEL 30/40V

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Anzahl	Preis
2+	2.31 EUR
10+	1.72 EUR
25+	1.61 EUR
100+	1.30 EUR
250+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5638 Stücke:

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7+	2.75 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.41 EUR

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Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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