IPC26N12NX1SA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 92+ | 7.15 EUR |
| 100+ | 6.71 EUR |
| 500+ | 6.2 EUR |
| 1000+ | 5.74 EUR |
| 10000+ | 5.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPC26N12NX1SA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 244µA, Supplier Device Package: Sawn on foil, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V.
Weitere Produktangebote IPC26N12NX1SA1 nach Preis ab 5.31 EUR bis 7.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPC26N12NX1SA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer |
auf Bestellung 62760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IPC26N12NX1SA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer
Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer
auf Bestellung 62760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 92+ | 7.15 EUR |
| 100+ | 6.71 EUR |
| 500+ | 6.2 EUR |
| 1000+ | 5.74 EUR |
| 10000+ | 5.31 EUR |