IPC26N12NX1SA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 92+ | 5.94 EUR |
| 100+ | 5.45 EUR |
| 500+ | 4.96 EUR |
| 1000+ | 4.52 EUR |
| 10000+ | 4.07 EUR |
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Technische Details IPC26N12NX1SA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 244µA, Supplier Device Package: Sawn on foil, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V.
Weitere Produktangebote IPC26N12NX1SA1 nach Preis ab 4.07 EUR bis 5.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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| IPC26N12NX1SA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer |
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| IPC26N12NX1SA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V Automotive 3-Pin Chip Wafer |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPC26N12NX1SA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 3-Pin Chip Wafer |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPC26N12NX1SA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 244µA Supplier Device Package: Sawn on foil Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V |
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