IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPC50N04S55R8ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPC50N04S55R8ATMA1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.32 EUR
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 318132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-CHANNEL 30/40V |
auf Bestellung 21468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 9812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPC50N04S55R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.005 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 9812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPC50N04S55R8ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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