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IPC70N04S54R6ATMA1

IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.54 EUR
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Technische Details IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0039 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPC70N04S54R6ATMA1 nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPC70N04S54R6ATMA1 IPC70N04S54R6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPC70N04S5_4R6_DS_v01_00_EN-1227164.pdf MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.24 EUR
13+1.40 EUR
100+0.93 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 70A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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