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IPC70N04S54R6ATMA1

IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPC70N04S54R6ATMA1 IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
auf Bestellung 101 Stücke:
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10+1.53 EUR
100+1 EUR
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IPC70N04S54R6ATMA1 IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3816 Stücke:
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IPC70N04S54R6ATMA1 IPC70N04S54R6ATMA1 INFINEON Infineon-IPC70N04S5-4R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801e625290d Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MOSFETs MOSFET_(20V,40V)
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Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
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Description: INFINEON - IPC70N04S54R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 3900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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