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IPD020N03LF2SATMA1

IPD020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 2000 Stücke:

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Technische Details IPD020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 0.00205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD020N03LF2SATMA1 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.32 EUR

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IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Description: IPD020N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
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8+2.20 EUR
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IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD020N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN-3536421.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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100+1.27 EUR
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1000+0.88 EUR
2000+0.83 EUR
4000+0.79 EUR
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IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 4421043.pdf Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 0.00205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD020N03LF2SATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD020N03LF2SATMA1
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