IPD023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
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Technische Details IPD023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm.
Weitere Produktangebote IPD023N03LF2SATMA1 nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency |
auf Bestellung 3929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD023N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IPD023N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V |
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IPD023N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm |
auf Bestellung 3305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD023N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 137A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm |
auf Bestellung 3305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.84 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 2000+ | 0.76 EUR |
| 4000+ | 0.71 EUR |
| IPD023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPD023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
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Description: IPD023N03LF2SATMA1
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.31 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.4 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| IPD023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 3305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.62 EUR |
| 105+ | 2.23 EUR |
| 136+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |
| IPD023N03LF2SATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
Description: INFINEON - IPD023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 137 A, 2350 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.62 EUR |
| 105+ | 2.23 EUR |
| 136+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.23 EUR |