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IPD023N04NF2SATMA1

IPD023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD023N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7454a3f0a90 Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.75 EUR
4000+0.71 EUR
6000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Technische Details IPD023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD023N04NF2SATMA1 nach Preis ab 0.78 EUR bis 2.82 EUR

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IPD023N04NF2SATMA1 IPD023N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD023N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7454a3f0a90 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
auf Bestellung 6665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.64 EUR
11+1.74 EUR
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500+0.90 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IPD023N04NF2SATMA1 IPD023N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD023N04NF2S_DataSheet_v02_01_EN-3083479.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3105 Stücke:
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Anzahl Preis
1+2.82 EUR
10+1.85 EUR
100+1.06 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.83 EUR
4000+0.78 EUR
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IPD023N04NF2SATMA1 IPD023N04NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3920488.pdf Description: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD023N04NF2SATMA1 IPD023N04NF2SATMA1 Hersteller : INFINEON 3920488.pdf Description: INFINEON - IPD023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 143 A, 0.0019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
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Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IPD023N04NF2SATMA1 IPD023N04NF2SATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd023n04nf2s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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