IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.43 EUR |
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Technische Details IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD025N06NATMA1 nach Preis ab 1.1 EUR bis 3.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 67500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1665 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
auf Bestellung 1665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 |
auf Bestellung 8333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V |
auf Bestellung 8113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD025N06NATMA1 Produktcode: 169019
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD025N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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