Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1

IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76
Produktcode: 169019
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPD025N06NATMA1 nach Preis ab 1.39 EUR bis 7.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.94 EUR
5000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
10000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.05 EUR
35+2.5 EUR
50+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.88 EUR
65+2.68 EUR
100+2.57 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD025N06N_DS_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
auf Bestellung 7199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.89 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 5648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
56+4.2 EUR
100+2.78 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76
IPD025N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.94 EUR
5000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
10000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.05 EUR
35+2.5 EUR
50+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 510425193004013dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304336415de.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.88 EUR
65+2.68 EUR
100+2.57 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 Infineon_IPD025N06N_DS_v02_05_EN.pdf
IPD025N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2
auf Bestellung 7199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.59 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.89 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N_Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304336415dec0136531648062c76
IPD025N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 5648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD025N06NATMA1 INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD025N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.45 EUR
56+4.2 EUR
100+2.78 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH