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IPD028N06NF2SATMA1

IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipd028n06nf2sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipd028n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipd028n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipd028n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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110+1.54 EUR
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipd028n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 INFINEON 3920489.pdf Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1392 Stücke:
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipd028n06nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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51+3.43 EUR
73+2.37 EUR
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
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IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD028N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
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57+4.13 EUR
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111+1.55 EUR
136+1.24 EUR
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Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
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Description: TRENCH 40<-<100V
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
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1000+1.37 EUR
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1+5.7 EUR
10+3.69 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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