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IPD030N03LF2SATMA1

IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
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Technische Details IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD030N03LF2SATMA1 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD030N03LF2SATMA1 IPD030N03LF2SATMA1 INFINEON datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 99A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD030N03LF2SATMA1 IPD030N03LF2SATMA1 INFINEON datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD030N03LF2SATMA1 IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD030N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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IPD030N03LF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD030N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 99 A, 0.00305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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