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IPD031N03LGATMA1

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Produktcode: 149574
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.77 EUR
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
99+0.86 EUR
106+0.81 EUR
109+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.01 EUR
175+0.98 EUR
178+0.94 EUR
203+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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170+1.01 EUR
175+0.95 EUR
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD031N03L_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4184 Stücke:
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1+3.58 EUR
10+1.86 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.95 EUR
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
auf Bestellung 2687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.44 EUR
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON 1668962.pdf Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
102+2.3 EUR
155+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
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IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
7500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
7500+0.73 EUR
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IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.77 EUR
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IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.77 EUR
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IPD031N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+0.95 EUR
99+0.86 EUR
106+0.81 EUR
109+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.01 EUR
175+0.98 EUR
178+0.94 EUR
203+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.01 EUR
175+0.95 EUR
178+0.9 EUR
203+0.76 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD031N03LGATMA1 Infineon_IPD031N03L_DS_v02_01_en.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4184 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.58 EUR
10+1.86 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.98 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
auf Bestellung 2687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.83 EUR
10+2.44 EUR
50+1.83 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 1668962.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3757 Stücke:
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64+3.95 EUR
102+2.3 EUR
155+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD031N03LGATMA1 5935ipd031n03l_rev15b15d.03.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD031N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
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