IPD034N06N3G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.77 EUR |
| 100+ | 2.61 EUR |
| 250+ | 2.45 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.2 EUR |
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Technische Details IPD034N06N3G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, Power dissipation: 167W, Case: DPAK3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.4mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 400A.
Weitere Produktangebote IPD034N06N3G nach Preis ab 1.62 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPD034N06N3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 4229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD034N06N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A |
auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 39 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD034N06N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.09 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
| 2500+ | 1.62 EUR |
| IPD034N06N3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; Idm: 400A; 167W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
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