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IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies

IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+1.03 EUR
5000+0.97 EUR
7500+0.93 EUR
12500+0.92 EUR
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Technische Details IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPD034N06N3GATMA1 nach Preis ab 1.07 EUR bis 3.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+1.52 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
361+1.52 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD034N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.5 EUR
36+1.99 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 29623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.57 EUR
10+2.29 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON 1849756.html Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON 1849756.html Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
361+1.52 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 ipd034n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2a97343.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
361+1.52 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
29+2.5 EUR
36+1.99 EUR
41+1.76 EUR
55+1.32 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 29623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+3.57 EUR
10+2.29 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 1849756.html
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD034N06N3GATMA1 1849756.html
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH