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IPD036N04LGATMA1

IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies

ipd036n04l_rev1.0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.95 EUR
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Technische Details IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
5000+0.98 EUR
7500+0.93 EUR
12500+0.89 EUR
17500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
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62+2.84 EUR
96+1.8 EUR
126+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
96+1.76 EUR
126+1.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
103+2.26 EUR
151+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD036N04L_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs IFX FET 40V
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1+3.64 EUR
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
auf Bestellung 37903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.42 EUR
100+1.62 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD036N04LGATMA1
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IPD036N04LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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5000+0.98 EUR
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12500+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+2.84 EUR
96+1.8 EUR
126+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IPD036N04LGATMA1 ipd036n04l_rev1.0.pdf
IPD036N04LGATMA1
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Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+2.84 EUR
96+1.76 EUR
126+1.29 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.27 EUR
103+2.26 EUR
151+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
103+2.26 EUR
151+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD036N04LGATMA1 Infineon_IPD036N04L_DS_v01_00_en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.64 EUR
10+2.31 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD036N04LGATMA1 Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
IPD036N04LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
auf Bestellung 37903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.81 EUR
10+2.42 EUR
100+1.62 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH