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IPD036N04LGATMA1

IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD036N04L_DS_v01_00_en-1731783.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd036n04l_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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