IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET

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Technische Details IPD038N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IPD038N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V	auf Bestellung 1233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 12+ 1.55 EUR 14+  1.27 EUR 100+  0.98 EUR 500+  0.83 EUR 1000+  0.68 EUR Mindestbestellmenge: 12 kaufen
	IPD038N06NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen