auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 226+ | 0.64 EUR |
| 251+ | 0.56 EUR |
| 262+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.00405 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00405ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD040N03LF2SATMA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Power-Transistor MOSFET |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPD040N03LF2SATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-34 |
auf Bestellung 1889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency |
auf Bestellung 3887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.00405 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00405ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD040N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.00405 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Transistors - Unclassified Description: IPD040N03LF2SATMA1 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IPD040N03LF2SATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPD040N03LF2SATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-34 |
Produkt ist nicht verfügbar |