IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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|---|---|
| 2+ | 1.8 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.59 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2000+ | 0.46 EUR |
| 4000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT, Technology: MOSFET, On-state resistance: 4.7mΩ, Gate-source voltage: 20V, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 71A, Power dissipation: 65W, Case: DPAK, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Electrical mounting: SMT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| IPD047N03LF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 71A; 65W; DPAK; SMT Technology: MOSFET On-state resistance: 4.7mΩ Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 71A Power dissipation: 65W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Electrical mounting: SMT |
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