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IPD047N03LF2SATMA1

IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
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Technische Details IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

Weitere Produktangebote IPD047N03LF2SATMA1 nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD047N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
auf Bestellung 1979 Stücke:
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10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
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IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3616 Stücke:
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65+3.84 EUR
118+1.98 EUR
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500+0.93 EUR
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IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
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100+3.84 EUR
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MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
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Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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