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IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.05 EUR
168+1.02 EUR
210+0.8 EUR
250+0.77 EUR
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1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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Technische Details IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.25 EUR
167+1.01 EUR
168+0.96 EUR
210+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.83 EUR
96+0.89 EUR
127+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
154+1.51 EUR
218+0.99 EUR
500+0.83 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.74 EUR
100+1.08 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
175+1.33 EUR
212+1.01 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+1.25 EUR
167+1.01 EUR
168+0.96 EUR
210+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+1.83 EUR
96+0.89 EUR
127+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+2.06 EUR
154+1.51 EUR
218+0.99 EUR
500+0.83 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.95 EUR
10+1.74 EUR
100+1.08 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4876 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
82+3.05 EUR
175+1.33 EUR
212+1.01 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
IPD050N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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