Produkte > UMW > IPD050N03LGATMA1
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 UMW

6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD050N03LGATMA1 UMW

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD050N03LGATMA1 nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.87 EUR
168+0.83 EUR
210+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
140+1.04 EUR
167+0.84 EUR
168+0.8 EUR
210+0.62 EUR
250+0.59 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
133+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
73+0.99 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
73+0.99 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN-3362524.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.17 EUR
100+0.84 EUR
250+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
13+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Hersteller : UMW 6d54cf1e2e392d0c1536bc68b1d7813a.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH