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IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies

65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd050n10n5-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+2.18 EUR
7500+2.07 EUR
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 642 Stücke:
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500+2.87 EUR
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+5.08 EUR
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd050n10n5_datasheet_en.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
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10+3.25 EUR
100+2.89 EUR
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1000+2.32 EUR
2500+2.23 EUR
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd050n10n5-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
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3+7 EUR
10+4.56 EUR
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IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 150W
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
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33+7.79 EUR
51+4.57 EUR
100+3.02 EUR
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IPD050N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD050N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
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IPD050N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
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100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
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207+3.22 EUR
500+2.87 EUR
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IPD050N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+5.08 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPD050N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
auf Bestellung 8121 Stücke:
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3+7 EUR
10+4.56 EUR
50+3.51 EUR
100+3.17 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPD050N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2064 Stücke:
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51+4.57 EUR
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
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