Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD053N06NATMA1
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

ipd053n06n_rev2.2.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
219+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPD053N06NATMA1 nach Preis ab 0.53 EUR bis 2.60 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
192+0.77 EUR
200+0.72 EUR
202+0.68 EUR
213+0.62 EUR
250+0.59 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.84 EUR
177+0.81 EUR
200+0.78 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD053N06N_DS_v02_02_en-1226926.pdf MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
auf Bestellung 15400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.04 EUR
10+1.00 EUR
25+0.99 EUR
100+0.96 EUR
250+0.95 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 6632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.60 EUR
11+1.76 EUR
100+1.24 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 21665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698E669ECC2211C&compId=IPD053N06N-DTE.pdf?ci_sign=c387f26976ad22f24751fba530dfc2fd71aed62d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698E669ECC2211C&compId=IPD053N06N-DTE.pdf?ci_sign=c387f26976ad22f24751fba530dfc2fd71aed62d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH