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IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

ipd053n06n_rev2.2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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192+0.93 EUR
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202+0.82 EUR
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250+0.71 EUR
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd053n06n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 10093 Stücke:
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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59+3.06 EUR
84+2.06 EUR
137+1.21 EUR
500+0.95 EUR
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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58+3.07 EUR
84+2.12 EUR
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500+1.01 EUR
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2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd053n06n_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd053n06n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
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5+4.41 EUR
10+2.84 EUR
50+2.15 EUR
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IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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46+5.5 EUR
85+2.76 EUR
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1000+1.73 EUR
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IPD053N06NATMA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD053N06NATMA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6968 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
192+0.93 EUR
200+0.86 EUR
202+0.82 EUR
213+0.75 EUR
250+0.71 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
176+1.01 EUR
177+1 EUR
200+0.96 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+1.06 EUR
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IPD053N06NATMA1 ipd053n06n_rev2.2.pdf
IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
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IPD053N06NATMA1 ipd053n06n_rev2.2.pdf
IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD053N06NATMA1 ipd053n06n_rev2.2.pdf
IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
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IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 10093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD053N06NATMA1 ipd053n06n_rev2.2.pdf
IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+3.06 EUR
84+2.06 EUR
137+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.07 EUR
84+2.12 EUR
136+1.26 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IPD053N06NATMA1 infineon_ipd053n06n_datasheet_en.pdf
IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.3 EUR
10+2.09 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.27 EUR
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IPD053N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 6139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.41 EUR
10+2.84 EUR
50+2.15 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD053N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 10093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.5 EUR
85+2.76 EUR
100+2.27 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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