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IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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Technische Details IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.68 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.2 EUR
89+1.93 EUR
100+1.83 EUR
200+1.77 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.48 EUR
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.32 EUR
81+2.07 EUR
82+1.98 EUR
100+1.75 EUR
250+1.68 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD053N08N3_DS_v01_01_en.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 47896 Stücke:
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1+5.55 EUR
10+3.71 EUR
100+2.68 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.03 EUR
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IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
auf Bestellung 5633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 8018 Stücke:
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42+6.02 EUR
62+3.78 EUR
100+2.57 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.02 EUR
5000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
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Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4198 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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89+1.93 EUR
100+1.83 EUR
200+1.77 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.48 EUR
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
auf Bestellung 5633 Stücke:
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4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD053N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 8018 Stücke:
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42+6.02 EUR
62+3.78 EUR
100+2.57 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.02 EUR
5000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
Hersteller: Infineon
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