IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon |
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IPD053N08N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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