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IPD055N08NF2SATMA1

Infineon-IPD055N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b54558934976
Produktcode: 199783
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD055N08NF2S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+1.78 EUR
100+1.32 EUR
500+1.2 EUR
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IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD055N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b54558934976 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.94 EUR
10+2.54 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD055N08NF2SATMA1 Infineon_IPD055N08NF2S_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD055N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
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AnzahlPreis
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IPD055N08NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
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