IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2500+ | 0.52 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
| 7500+ | 0.49 EUR |
| 12500+ | 0.48 EUR |
| 17500+ | 0.46 EUR |
| 25000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 56W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.
Weitere Produktangebote IPD060N03LGATMA1 nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 157736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 |
auf Bestellung 5327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V |
auf Bestellung 30327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 56W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
auf Bestellung 2537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 56W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
auf Bestellung 2537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD060N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 43A Power dissipation: 56W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.52 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| 7500+ | 0.48 EUR |
| 12500+ | 0.45 EUR |
| 17500+ | 0.43 EUR |
| 25000+ | 0.4 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.76 EUR |
| 7500+ | 0.68 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 709+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 709+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 157736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 709+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 10000+ | 0.75 EUR |
| 100000+ | 0.61 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 709+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 134+ | 1.33 EUR |
| 200+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 1.86 EUR |
| 140+ | 1.23 EUR |
| 202+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.43 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 1.87 EUR |
| 140+ | 1.26 EUR |
| 201+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.07 EUR |
| 134+ | 1.29 EUR |
| 200+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.42 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
auf Bestellung 5327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.67 EUR |
| 10+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 2500+ | 0.76 EUR |
| 5000+ | 0.73 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 30327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.83 EUR |
| 12+ | 1.8 EUR |
| 50+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 86+ | 2.93 EUR |
| 155+ | 1.51 EUR |
| 173+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.93 EUR |
| 155+ | 1.51 EUR |
| 173+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| IPD060N03LGATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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