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IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+0.51 EUR
5000+0.49 EUR
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Technische Details IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 56W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
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2500+0.51 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.48 EUR
12500+0.46 EUR
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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995+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 995 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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1078+0.6 EUR
10000+0.52 EUR
100000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 995 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6648 Stücke:
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
7500+0.69 EUR
12500+0.67 EUR
17500+0.64 EUR
25000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD060N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
78+1.11 EUR
87+0.99 EUR
117+0.73 EUR
133+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
140+1.23 EUR
202+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
140+1.2 EUR
202+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD060N03L_G_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
auf Bestellung 5834 Stücke:
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2+2.49 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
153+1.52 EUR
233+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
153+1.52 EUR
233+0.92 EUR
500+0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.48 EUR
12500+0.46 EUR
17500+0.45 EUR
25000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
995+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 995 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
995+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 995 Stücke
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IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 157736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
995+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
10000+0.52 EUR
100000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 995 Stücke
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IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
995+0.65 EUR
1078+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 995 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
7500+0.69 EUR
12500+0.67 EUR
17500+0.64 EUR
25000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD060N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+1.3 EUR
78+1.11 EUR
87+0.99 EUR
117+0.73 EUR
133+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+1.82 EUR
140+1.23 EUR
202+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+1.82 EUR
140+1.2 EUR
202+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 Infineon_IPD060N03L_G_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
auf Bestellung 5834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.49 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+2.62 EUR
153+1.52 EUR
233+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
153+1.52 EUR
233+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
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IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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