IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 0.85 EUR |
| 5000+ | 0.81 EUR |
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Technische Details IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.
Weitere Produktangebote IPD068P03L3GATMA1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 3562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 9866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Single P-Channel Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 100W Drain current: -70A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD068P03L3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 100W Drain current: -70A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced |
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