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IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
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Technische Details IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPD068P03L3GATMA1 nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
5000+0.59 EUR
7500+0.57 EUR
12500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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5000+0.61 EUR
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IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
103+0.7 EUR
110+0.65 EUR
117+0.62 EUR
121+0.59 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
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IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
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77+1.92 EUR
110+1.32 EUR
156+0.9 EUR
500+0.71 EUR
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IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
auf Bestellung 6851 Stücke:
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10+1.94 EUR
13+1.38 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
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IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD068P03L3_G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
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10+1.76 EUR
100+1.16 EUR
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IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 2280 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
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IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
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Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
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AnzahlPreis
77+1.92 EUR
110+1.32 EUR
156+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.62 EUR
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IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
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AnzahlPreis
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100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
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MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
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AnzahlPreis
2+2.8 EUR
10+1.76 EUR
100+1.16 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
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