Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD068P03L3GATMA1
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPD068P03L3GATMA1 nach Preis ab 0.61 EUR bis 3.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.7 EUR
7500+0.68 EUR
12500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
7500+0.7 EUR
12500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
103+0.83 EUR
110+0.77 EUR
117+0.74 EUR
121+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
676+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.28 EUR
110+1.57 EUR
156+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
auf Bestellung 6851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
13+1.64 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
117+1.99 EUR
161+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
108+2.15 EUR
163+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD068P03L3_G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
auf Bestellung 8211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
5000+0.7 EUR
7500+0.68 EUR
12500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
7500+0.7 EUR
12500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+0.94 EUR
103+0.83 EUR
110+0.77 EUR
117+0.74 EUR
121+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
676+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 676 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.28 EUR
110+1.57 EUR
156+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
auf Bestellung 6851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.31 EUR
13+1.64 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
117+1.99 EUR
161+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.65 EUR
108+2.15 EUR
163+1.32 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD068P03L3GATMA1 Infineon_IPD068P03L3_G_DS_v02_01_en.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
auf Bestellung 8211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.83 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH