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IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:

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Anzahl Preis
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Technische Details IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 47W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
178+0.40 EUR
188+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
178+0.40 EUR
188+0.38 EUR
500+0.37 EUR
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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
auf Bestellung 10205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
30+0.60 EUR
100+0.51 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD075N03LG_DataSheet_v02_02_EN-3362508.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
auf Bestellung 3394 Stücke:
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Anzahl Preis
4+0.90 EUR
10+0.69 EUR
100+0.59 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD075N03LGATMA1
Produktcode: 172911
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IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd075n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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