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IPD082N10N3GATMA1

Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Produktcode: 143398
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
115+1.87 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.78 EUR
5000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.55 EUR
54+3.12 EUR
55+2.95 EUR
100+2.38 EUR
250+2.24 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.55 EUR
54+3.18 EUR
55+3.06 EUR
100+2.51 EUR
250+2.42 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
auf Bestellung 13807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 10037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+3.09 EUR
100+2.2 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
2500+1.48 EUR
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
71+3.27 EUR
100+2.17 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
100+2.37 EUR
115+1.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.55 EUR
54+3.12 EUR
55+2.95 EUR
100+2.38 EUR
250+2.24 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.31 EUR
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IPD082N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.55 EUR
54+3.18 EUR
55+3.06 EUR
100+2.51 EUR
250+2.42 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.49 EUR
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IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
auf Bestellung 13807 Stücke:
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5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
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IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 10037 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.71 EUR
10+3.09 EUR
100+2.2 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
2500+1.48 EUR
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IPD082N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD082N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.68 EUR
71+3.27 EUR
100+2.17 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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