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IPD082N10N3GATMA1

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Produktcode: 143398
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
40+1.83 EUR
44+1.63 EUR
58+1.24 EUR
100+1.12 EUR
250+1 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.94 EUR
54+2.59 EUR
55+2.45 EUR
100+1.98 EUR
250+1.86 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1820 Stücke:
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50+2.94 EUR
54+2.59 EUR
55+2.45 EUR
100+1.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 50
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
auf Bestellung 13807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.8 EUR
10+2.45 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 10037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.96 EUR
10+2.6 EUR
100+1.85 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.24 EUR
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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