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IPD090N03LGBTMA1

IP%28D%2CF%2CS%2CU%29090N03L%20G.pdf
Produktcode: 163865
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPD090N03LGBTMA1 IPD090N03LGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD090N03LGBTMA1 IPD090N03LGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD090N03LGBTMA1 IPD090N03LGBTMA1 Hersteller : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29090N03L%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
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