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IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+3.42 EUR
100+2.8 EUR
250+2.65 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+5.02 EUR
79+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.76 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD_S110N12N3_G-DS-v02_04-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 5252 Stücke:
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1+5.63 EUR
10+3.62 EUR
100+2.49 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.8 EUR
5000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.54 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.54 EUR
5000+1.46 EUR
7500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.55 EUR
5000+1.51 EUR
7500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6219 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
65+2.7 EUR
70+2.48 EUR
100+2.05 EUR
200+1.89 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.56 EUR
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1 INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.76 EUR
103+2.08 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.95 EUR
49+3.44 EUR
50+3.28 EUR
100+2.65 EUR
250+2.45 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.95 EUR
49+3.51 EUR
50+3.42 EUR
100+2.8 EUR
250+2.65 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.2 EUR
63+2.7 EUR
100+1.96 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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42+4.22 EUR
62+2.77 EUR
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500+1.65 EUR
1000+1.48 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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50+5.02 EUR
79+2.98 EUR
101+2.13 EUR
500+1.76 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
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5+5.05 EUR
10+3.27 EUR
100+2.24 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 Infineon-IPD_S110N12N3_G-DS-v02_04-EN.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
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1+5.63 EUR
10+3.62 EUR
100+2.49 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.8 EUR
5000+1.76 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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