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IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
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5000+1.45 EUR
7500+1.38 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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500+2.14 EUR
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auf Bestellung 9142 Stücke:
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42+4.18 EUR
62+2.74 EUR
100+2.03 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.39 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
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10+3.08 EUR
50+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD_S110N12N3_G-DS-v02_04-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
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100+2.12 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.62 EUR
10000+1.45 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 22282 Stücke:
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41+6.22 EUR
63+3.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.51 EUR
5000+1.45 EUR
7500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2500+1.54 EUR
5000+1.5 EUR
7500+1.45 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 22387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.31 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+2.68 EUR
70+2.44 EUR
100+2.02 EUR
200+1.87 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.54 EUR
5000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
45+3.9 EUR
49+3.47 EUR
50+3.38 EUR
100+2.76 EUR
250+2.63 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
45+3.9 EUR
49+3.4 EUR
50+3.25 EUR
100+2.62 EUR
250+2.43 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.14 EUR
63+2.67 EUR
100+1.94 EUR
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9142 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
42+4.18 EUR
62+2.74 EUR
100+2.03 EUR
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1000+1.45 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
auf Bestellung 6998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
50+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 4857 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.86 EUR
10+3.12 EUR
100+2.12 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.62 EUR
10000+1.45 EUR
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IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 22282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.22 EUR
63+3.71 EUR
100+2.31 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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