IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.26 EUR |
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Technische Details IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD110N12N3GATMA1 nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ) Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V |
auf Bestellung 6303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 24495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 29371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31061 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD110N12N3GATMA1 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD110N12N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |