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IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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Technische Details IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.31 EUR
46+1.89 EUR
54+1.58 EUR
60+1.43 EUR
66+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
122+1.76 EUR
500+1.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD122N10N3_G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+3.53 EUR
10+2.14 EUR
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IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 27785 Stücke:
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5+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
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IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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54+1.58 EUR
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500+0.89 EUR
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IPD122N10N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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10+2.14 EUR
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IPD122N10N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 27785 Stücke:
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5+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
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IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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