Technische Details IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPD122N10N3GATMA1 nach Preis ab 0.72 EUR bis 3.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD122N10N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK Drain-source voltage: 100V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
auf Bestellung 2234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 19004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 27785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IPD122N10N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 65179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IPD122N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IPD122N10N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 65179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.89 EUR |
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.91 EUR |
| 5000+ | 0.86 EUR |
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
auf Bestellung 2234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 37+ | 1.94 EUR |
| 46+ | 1.59 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| 60+ | 1.2 EUR |
| 66+ | 1.09 EUR |
| 74+ | 0.97 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 19004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.94 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.1 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 2500+ | 0.98 EUR |
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
auf Bestellung 27785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD122N10N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD122N10N3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)