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IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies


IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 27500 Stücke:

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Technische Details IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0113 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD135N03LG_DataSheet_v02_02_EN-3362328.pdf MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003 Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
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20+0.90 EUR
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
121+0.59 EUR
137+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 814 Stücke:
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS29213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0113 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS29213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0113 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd135n03lg_rev1.041.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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