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IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies

IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD135N03LGATMA1 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.88 EUR
123+0.69 EUR
157+0.55 EUR
171+0.5 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003 Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 28599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
25+0.86 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON INFNS29213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.07 EUR
322+0.73 EUR
335+0.64 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON INFNS29213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.07 EUR
322+0.73 EUR
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500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD135N03LG_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2
auf Bestellung 17033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.92 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPD135N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+0.88 EUR
123+0.69 EUR
157+0.55 EUR
171+0.5 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
auf Bestellung 28599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.07 EUR
25+0.86 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPD135N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD135N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
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322+0.73 EUR
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IPD135N03LGATMA1 Infineon_IPD135N03LG_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD135N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2
auf Bestellung 17033 Stücke:
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3+1.4 EUR
10+0.92 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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