Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2

INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 154372
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPD14N06S280ATMA2 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 INFINEON INFNS09524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
334+0.69 EUR
336+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD14N06S2_80_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 INFINEON INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
145+1.61 EUR
221+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.64 EUR
283+0.6 EUR
303+0.54 EUR
306+0.51 EUR
322+0.46 EUR
329+0.44 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
329+0.76 EUR
334+0.69 EUR
336+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 Infineon_IPD14N06S2_80_DS_v01_00_en.pdf
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.67 EUR
10+1.64 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.75 EUR
145+1.61 EUR
221+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
273+0.64 EUR
283+0.6 EUR
303+0.54 EUR
306+0.51 EUR
322+0.46 EUR
329+0.44 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH