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IPD14N06S280ATMA2

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Produktcode: 154372
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 INFINEON INFNS09524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
334+0.69 EUR
336+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd14n06s2_80_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.15 EUR
100+0.98 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 INFINEON INFNS09524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
179+1.3 EUR
201+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.65 EUR
283+0.61 EUR
303+0.55 EUR
306+0.52 EUR
322+0.48 EUR
329+0.44 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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334+0.69 EUR
336+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.48 EUR
10+1.15 EUR
100+0.98 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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84+3 EUR
179+1.3 EUR
201+1.07 EUR
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IPD14N06S280ATMA2 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1788 Stücke:
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273+0.65 EUR
283+0.61 EUR
303+0.55 EUR
306+0.52 EUR
322+0.48 EUR
329+0.44 EUR
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